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方案介紹

氮化硅中氟、氯的測(cè)定

電子級(jí)的氮化硅薄膜是通過(guò)化學(xué)氣相沉淀或者等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉淀技術(shù)制造,而氮化硅中陰離子雜質(zhì)尤其是鹵素會(huì)對(duì)相關(guān)接觸部件造成嚴(yán)重腐蝕,所以對(duì)氮化硅中陰離子雜質(zhì)的準(zhǔn)確測(cè)定具有重要意義。

分析柱:SH-G-1+SH-AC-11

流動(dòng)相:12 mM KOH(EG)

流速:1.0 mL/min

柱溫:35℃

抑制器:SHY-A-6

進(jìn)樣體積:25 μL

前處理:稱(chēng)取適量樣品(準(zhǔn)確記錄質(zhì)量,精確到 0.0001 g)于樣品舟中,經(jīng)燃燒離子色譜進(jìn)樣分析。同時(shí)做樣品舟空燒對(duì)照組分析。

色譜測(cè)量數(shù)據(jù)

1.png

氮化硅中氟、氯的譜圖

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